华中科技大学906半导体光电器件（二）2017考研大纲

考研大纲作为考研学子备考复习的重要参考，新大纲的发布无疑牵动着考生的心。新文道考研为大家整理了华中科技大学906半导体光电器件（二）2017考研大纲，2018考研的同学们可以提前参考一下哦!

华中科技大学硕士研究生入学考试《半导体光电器件(二)》考试大纲

(科目代码：906)

一、考试说明

1. 考试性质

该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。

考试对象为参加全国硕士研究生入学考试的考生。

3. 评价目标

本课程考试的目的是考察学生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决光电器件技术领域相关问题的能力。

4. 考试形式与试卷结构

(1)答卷方式：闭卷，笔试。

(2)答题时间：180分钟。

(3)各部分内容的考查比例：满分150分。

固体物理 20%

半导体物理 80%

(4)题型：以分析、计算题为主。

二、考察要点

1. 晶体结构与能带理论

晶向、晶面、晶体点阵，点群的基本概念，几种固体结合的特性，晶格振动，光学波、声学波，晶格热传导，倒易空间，布里渊区

2. 半导体基本概念

金属、半导体和绝缘体的区分，禁带宽度，掺杂类型与浓度计算，晶体缺陷，费米分布函数，本征和杂质半导体的载流子浓度，电导率与迁移率及其与杂质浓度和温度的关系，非平衡载流子的寿命与复合，载流子的迁移与扩散

3. 半导体同质与异质结

PN结及其能带图，PN结电流电压特性，PN结电容与击穿，欧姆接触和肖特基接触，表面态和MIS结构的CV特性，半导体异质结及其能带结构，半导体量子阱，GaN机半导体异质结构

4. 半导体的光、电、热效应及其器件

半导体光学常数和光吸收，光电导和光电探测器，半导体发光和发光二极管，热电效应和温差电动势，太阳能电池与场效应晶体管工作原理及表征。